基于非硅微制造工艺的爆炸箔起爆器研究

doi:10.3969/j.issn.1000-1093.2017.02.008

兵工学报 ›› 2017, Vol. 38 ›› Issue (2): 261-266.doi: 10.3969/j.issn.1000-1093.2017.02.008

基于非硅微制造工艺的爆炸箔起爆器研究

李可为，褚恩义，薛艳，解瑞珍，任小明，任西，刘兰，刘卫

(陕西应用物理化学研究所应用物理化学国家级重点实验室, 陕西西安 710061)

收稿日期:2016-07-21 修回日期:2016-07-21 上线日期:2017-04-01
作者简介:李可为(1992—), 男, 硕士研究生。E-mail: 994060346@qq.com
基金资助:
总装备部预先研究项目（2016年）

Research on Exploding Foil Initiator Based on Non-silicon MEMS Technology

LI Ke-wei， CHU En-yi， XUE Yan， XIE Rui-zhen， REN Xiao-ming， REN Xi， LIU Lan， LIU Wei

(National Key Laboratory of Applied Physics and Chemistry， Shaanxi Applied Physics and Chemistry Research Institute， Xi'an 710061， Shaanxi， China）

Received:2016-07-21 Revised:2016-07-21 Online:2017-04-01

摘要/Abstract

摘要： 为了实现爆炸箔起爆器的集成化和批量化制备，研究了爆炸箔起爆器非硅微制造工艺技术。采用磁控溅射和光刻技术制备了桥箔，通过紫外厚胶技术在桥箔上制备了聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶飞片层，并利用SU-8光刻胶集成制造了加速膛，划片后一个衬底上制备了268个爆炸箔起爆器组件，每个组件的体积为0.018 cm³. 集成后的爆炸箔起爆器50%发火感度为2 185 V. 试验了爆炸箔起爆器组件的耐高温性能，结果表明在160 ℃下经历50 h以后，爆炸箔起爆器组件依然可以正常起爆Ⅳ型六硝基菧炸药柱。

关键词: 兵器科学与技术, 爆炸箔起爆器, 非硅微制造工艺, 磁控溅射

Abstract: The non-silicon MEMS manufacturing technology of exploding foil initiator (EFI) is studied to realize the integration and large-scale manufacture of EFI. The integrated bridge foils are fabricated by magnetron sputtering and lithography technology. The PMMA photoresist flyer layer is fabricated on the bridge foil by UV thick photoresist lithography process. SU-8 photoresist is used to fabricate the acceleration chamber. 268 EFI chips are prepared on a wafer substrate with 0.018 cm³ for each chip. 50% ignition sensitivity of the integrated EFI is 2 185 V. The high temperature resistance of EFI chip is tested at 160 ℃ for 50 h. The results show that the EFI chips could reliably detonate HNS-Ⅳ. Key

Key words: ordnancescienceandtechnology, explodingfoilinitiator, non-siliconMEMS, magnetronsputtering

中图分类号:

TJ450.2

李可为，褚恩义，薛艳，解瑞珍，任小明，任西，刘兰，刘卫. 基于非硅微制造工艺的爆炸箔起爆器研究[J]. 兵工学报, 2017, 38(2): 261-266.

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第38卷第2期2017 年2月兵工学报ACTA
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基于非硅微制造工艺的爆炸箔起爆器研究

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