兵工学报 ›› 2014, Vol. 35 ›› Issue (6): 789-794.doi: 10.3969/j.issn.1000-1093.2014.06.006
严楠1, 王刚1,2, 何爱军3, 鲍丙亮1
YAN Nan1, WANG Gang1,2, HE Ai-jun3, BAO Bing-liang1
摘要: 进一步降低半导体桥(SCB)换能元件发火能量是微机电系统(MEMS)引信用微型起爆系统发展的瓶颈技术。通过发火感度试验,获得了减小桥区尺寸、增加V型缺口、适当长宽比、降低药剂粒度等是降低SCB发火能量的有效技术途径。在试验方案范围内获得最小全发火电压3.83 V,发火能量0.073 mJ,最大不发火电流229.88 mA. 分析发火现象和电特性曲线得出:SCB换能元的桥区面积7.65×102 μm2,质量3.55×10-6 mg,临界发火属于电热发火;桥区面积5.68×102 μm2, 质量2.64×10-6 mg,临界发火属于电爆发火。进一步降低半导体桥(SCB)换能元件发火能量是微机电系统(MEMS)引信用微型起爆系统发展的瓶颈技术。通过发火感度试验,获得了减小桥区尺寸、增加V型缺口、适当长宽比、降低药剂粒度等是降低SCB发火能量的有效技术途径。在试验方案范围内获得最小全发火电压3.83 V,发火能量0.073 mJ,最大不发火电流229.88 mA. 分析发火现象和电特性曲线得出:SCB换能元的桥区面积7.65×102 μm2,质量3.55×10-6 mg,临界发火属于电热发火;桥区面积5.68×102 μm2, 质量2.64×10-6 mg,临界发火属于电爆发火。
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