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兵工学报 ›› 2010, Vol. 31 ›› Issue (8): 1106-1109.

• 研究简报 • 上一篇    下一篇

改进偏最小二乘法在航空煤油的近红外光谱分析中的应用

李辉, 曲轶, 高欣, 薄报学, 刘国军   

  1. (长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022)
  • 收稿日期:2008-10-24 修回日期:2008-10-24 上线日期:2014-05-04
  • 通讯作者: 李辉 E-mail:lihui@cust.edu.cn
  • 作者简介:李辉(1971—), 女, 博士研究生
  • 基金资助:
    国家自然科学基金资助项目(60976044)

Application of Improved Partial Least Squares Method in Near-infrared Spectrum Analysis for Aviation Kerosene

LI Hui, QU Yi, GAO Xin, BO Bao-xue, LIU Guo-jun   

  1. (National Key Lab on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and
  • Received:2008-10-24 Revised:2008-10-24 Online:2014-05-04
  • Contact: LI Hui E-mail:lihui@cust.edu.cn

摘要: 采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980 nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980 nm单模半导体激光器。器件在3 μm条宽,750 μm腔长时,100 mA电流下室温连续输出功率达到70 mW以上。激光器的最大斜率效率为0.89 W/A. 垂直方向远场发散角为28°. 器件在250 mA工作电流下输出功率达到190 mW. 器件在70 ℃温度下仍可以正常工作。采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980 nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980 nm单模半导体激光器。器件在3 μm条宽,750 μm腔长时,100 mA电流下室温连续输出功率达到70 mW以上。激光器的最大斜率效率为0.89 W/A. 垂直方向远场发散角为28°. 器件在250 mA工作电流下输出功率达到190 mW. 器件在70 ℃温度下仍可以正常工作。

关键词: 光电子学与激光技术, 980 nm单模半导体激光器, 高功率, 低发散角

Abstract: 980 nm low divergence semiconductor lasers with optimized large optical cavity (LOC) structure was designed for high power single mode operation. The InGaAs strained quantum well (QW) laser material was grown with solid source molecular beam epitaxy (MBE) system. The high efficiency single mode lasers were fabricated with 3 μm stripe width and 750 μm cavity length. The maximum output power of 70 mW was achieved at 100 mA injection current at room temperature, with the maximum slope efficiency of 0.89 W/A and typical vertical divergent angle of 28°. The output power of the device reached 190 mW under 250 mA current and the device could operate at 70 ℃ reliably.

Key words: optoelectronics and laser, 980 nm single mode semiconductor lasers, high power, low divergence

中图分类号: